化合物半导体硅片激光钻孔小孔加工

200元2022-12-03 08:27:31
  • 北京华诺恒宇光能科技有限公司
  • 硅片切割打孔
  • 张经理
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产地 北京 分类 硅片切割
切割加工最小缝隙 0.05mm 加工厚度范围 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信号 13011886131 服务范围 全国
硅片大小加工范围 300mm 联系人 张经理

化合物半导体硅片激光钻孔小孔加工

硅片加工的具体加工内容
承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、异形切割、盲孔盲槽定制。
应用及市场
太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅带太阳能电池片和硅片的划片(切割、切片)。

激光属于无接触式加工,不对晶圆产生机械应力的作用,对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点,聚焦点可小到微米数量级,从而对晶圆的微处理更具有优越性,可以进行小部件的加工;即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到较高的能量密度,有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化,形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小,最低限度的炭化影响。

随着硅半导体集成电路的广泛应用,硅半导体集成电路都要用到晶圆,传统的晶圆切割方法,都是手工采用金刚石刀进行切割,在晶圆上划分出若干个圆环,在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法,这种晶圆切割方法的耗材大,经常要更换刀具,切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大,不均匀,所能切割的材料单一,适用性差,效率低下。
因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行,对晶圆切割的位置进行准确定位,切割出来的晶圆芯片均匀、美观,能切割多种材料,适应性强,可以避免薄晶圆因切割破裂

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